Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli

发布于:2020-05-21 分类:人脸最新   

Micron E-die 世代版本 DDR4 记忆体问世以来,超频性获得市场普遍好评,再加上总是能端出亲民售价,成为不少人装机、升级的选择之一。通路电竞品牌 Ballistix 近日推出 Elite 等级 XMP DDR4-4000 速度版本,2 条 8GB 记忆体模组也抵达电脑王编辑部,就让我们一同来探探虚实。

Micron E-die 超频性佳

Micron DDR4 记忆体颗粒 E 世代版本,採用自家 20nm 以下,1x nm(19 nm)製程製造的产品,不仅超频性与 Samsung B-die 与 SK hynix CJR 位列同一等级,更对 AMD Zen、Zen+、Zen 2 微架构有着不错的亲和性,在某种程度上解决 AMD 平台与 DDR4 记忆体的搭配问题,获得许多玩家的欢迎。

Micron 旗下 Ballistix 通路电竞品牌,近日透过其中最高阶的 Elite 推出 DDR4-3600、DDR4-4000 等效时脉等级,以 8GB 单条单 rank 模组组成双通道 16GB 套装或是 4 通道 32GB 套装贩售,于此同时电脑王编辑部也取得 DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 双通道套装,除了常见的 Intel、AMD 双平台 JEDEC、XMP 速度效能测试,更要来探一探这款记忆体模组的超频性。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite 定位在高阶系列,因而採用纸盒磁吸包装方式,电脑王编辑部此次取得 DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 套装进行测试。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite 盒装背面以正体中文在内的多国语言标示特色,只是台湾第三行夹杂日文应予修正。

Micron Ballistix Elite DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit BLE2K8G4D40BEEAK 规格

记忆体:DDR4容量:8GB x 2规格尺寸:DIMM等效时脉:2666MHz、4000MHz(XMP 2.0)时序:19-19-19-43、18-19-19-39(XMP 2.0)电压:1.2V、1.35V(XMP 2.0)

XMP 飙上 DDR-4000

此次 Ballistix Elite 一共推出 DDR4-3600 和 DDR4-4000 2 种速度等级产品、其中前者已于台湾市场上市,DDR4-4000 版本也将于近期开始铺货。Ballistix Elite 仍旧採用一贯的军武设计风格,但是散热片设计相对 Sport 等级複杂得多,记忆体模组正、反面採用消光黑散热片覆盖,并透过 2 片散热片相互贴合创造缕空与沖压凹凸表面。

这 2 片散热片使用导热胶贴于记忆体颗粒,模组上方再加装 1 个金属多边造型盖,此造型盖结合战术导轨鱼骨设计概念,切销出一格一格的外观造型。厂商当然也没有放过品牌宣传的契机,记忆体模组 3 面均印製「BALLISTIX by Micron」字样图形,并于一隅标示 3 线 3 星的 Elite 标誌。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 卸除外包装纸盒,Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组透过塑胶盒固定不乱跑。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组正反面一览。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组正反面散热片形状与印製图样一致,其中 1 面的「BALLISTIX by Micron」字样图形由产品标示贴纸与序号贴纸代替。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 这组 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB x 2 16GB kit 套装 XMP 设定值採用 18-19-19-39 时序、1.35V 电压。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 记忆体模组顶部散热片採用战术导轨、鱼骨的造型概念,切销出一格格外观,中央同样也印製「BALLISTIX by Micron」字样图形。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 散热片一隅印製 3 线 3 星的 Elite 标誌。

Ballistix Elite 与 Ballistix Tactical Tracer RGB 相同,负责放置记忆体模组时序资讯的 SPD EEPROM 均採用内建温度感应器的版本,可透过 SMBus 回传温度资讯。Micron 在此提供 Ballistix M.O.D. 公用程式,于 Windows 作业系统安装之后可读取 SPD 时序,亦可获取每条记忆体模组的温度资讯,或是以半透明视窗显示于桌面一隅。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix M.O.D. 公用程式可以用来读取记忆体模组 SPD 资讯、温度资讯、控制 Ballistix Tactical Tracer RGB 的发光效果。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组温度示意,于 Windows 10 桌面待机分别为 31℃ 与 32℃。(室温 25℃)。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix M.O.D. 公用程式设定页面亦提供纪录档功能。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 记忆体模组温度资讯能够以半透明视窗方式,放置于桌面角落一隅,以便在不影响日常作业的情况下即时监控。

原生 DDR4-2666 特选颗粒

卸除 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组的散热片,可以发现电路板设计採用 A2 版本,记忆体封装颗粒以 4 个 1 组的方式向电路板左、右 2 边靠拢,以便缩短与资料金手指的距离。颗粒封装并未如同一般 Micron 产品以雷射刻上 10 码编号,明眼仅可见 CPG 字样,此为消费者产品事业群 Consumer Products Group 的缩写。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 卸除 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组的散热片,可以见到记忆体颗粒以 4 个 1 组的方式位于电路板左、右 2 侧,此为 A2 版本设计。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组封装颗粒没有印製常见的 10 码编号,仅有代表消费者产品事业群 Consumer Products Group 的 CPG 缩写。

实际上机以 Thaiphoon Burner 读取 SPD 资讯,可以发现这款记忆体模组採用 Micron D9VPP 颗粒,对应 MT40A1G8SA-075:E,冒号之后的 E 字样即为 E 版本,市场俗称 E-die 颗粒;-075 表示速度等级,1 个时脉为 0.75ns,换算后即为等效时脉 DDR4-2666,-075 表示时序值为 19-19-19,若是 -075E 则为 18-18-18。

SPD 内部除了放置一般 JEDEC DDR4-1333~DDR4-2666 标準时脉与时序,XMP 资讯则是包含了 DDR4-4000 18-19-19-39。SPD EEPROM 本体选用 Giantic GT34TS04 这款带有温度感应器的型号,温度感应範围为 -20℃~125℃,量测精度为 B 级,一般量测误差 70℃~95℃ 为 ±0.5℃、40℃~125℃ 为 ±1℃、-20℃~125℃ 为 ±2℃。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 透过 Thaiphoon Burner 读取 SPD 资讯,可以发现 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组採用 MT40A1G8SA-075:E 封装颗粒,原生 DDR4-2666 19-19-19,製造地为 Micron 总部美国爱达荷州波夕市。

Intel、AMD DDR-4000 轻鬆跑

实测验证效能,笔者仍旧选择 Intel 和 AMD 双平台,分别使用 Core i9-9900K 和 Asus ROG Maximus XI Extreme,以及 Ryzen 9 3900X 和 GIGABYTE X570 AORUS Master 的双重组合,并选择 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组的 JEDEC DDR4-2666 和 XMP DDR4-4000 等 2 个设定档。

由于 Intel 平台良好的快取、记忆体阶层一致性设计,记忆体等效频率超过官方表定支援 DDR4-2666 双通道之后,处理器运算效能差异并不大,唯有记忆体读写密集型应用才能感受到些许效能增长。搭配笔者手边的硬体测试时,ROG Maximus XI Extreme 须将 Command Rate 固定在 2T 才可套用 XMP DDR4-4000,1T 并无法成功开机。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 装设于 ROG Maximus XI Extreme 主机板时,可自动抓取 JEDEC DDR4-2666 19-19-19-43 时序,但 XMP DDR4-4000 18-19-19-39 的 Command Rate 无法设定于 1T,仅能以 2T 开机。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Core i9-9900K 搭配 DDR4-2666、DDR4-4000 双通道的 CPU-Z 效能表现在测试误差值之内。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Intel 平台 Cinebench R15 以 DDR4-4000 效能略高,相对 DDR4-2666 于单执行绪、多执行绪分别多出 1.4% 和 3.1%。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Cinebench R20 单执行绪以 DDR4-2666 表现为佳,504cb 高出 DDR4-4000 约 3.7%,DDR4-4000 则于多执行绪略有优势,4901cb 高出 DDR4-2666 约 0.8%。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 以 AIDA64 Cache&Memory Benchmark 量测频宽,DDR4-4000 无论是在读写速度或是存取延迟均有优势,频宽从 40000MB/s 以下跃升至 50000MB/s 以上,延迟则从 52.6ns 下降至 42.7ns。(点图放大)

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ PCMark 10 测试整个 Intel 平台的效能表现,DDR4-4000 获得 3598 分、DDR4-2666 获得 3552 分,整体效能增长约 1.3%。(点图放大)

AMD 处理器微架构进入 Zen 2 世代后有些複杂,Infinity Fabric 和内建记忆体控制器运作时脉可以不相互挂勾,加上 AMD 继续加强记忆体控制器的频率特性,因此第三代 Ryzen 桌上型处理器能够缴出不输 Intel 平台的记忆体时脉表现。

FClk 和 MemClk 运作时脉不同时,资料跨过不同频率域会增加一定的传输延迟时间,内部 Infinity Fabric 最高运作时脉大约在 1800MHz、1866MHz 左右,能够飙上 1900MHz 以上的处理器实为少数;受到此项特性影响,第三代 Ryzen 桌上型处理器搭配的记忆体模组时脉较高,并不一定拥有更高的效能。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ X570 AORUS Master 于 JEDEC DDR4-2666 选择 20-19-19-43 时序,XMP DDR4-4000 18-19-19-39 虽然能够于 1T 开机(gear down mode),但此时 Infinity Fabric 採用记忆体时脉的一半运作。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ryzen 9 3900X CPU-Z 测试均以 DDR4-4000 快上一丁点,单执行绪和多执行绪分别提升约 0.3% 和 0.15%。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ AMD 平台 Cinebench R15 单执行绪,双方均为 201cb 没有差异,多执行绪反到是 DDR4-4000 略为缩水 2cb。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ AMD 平台 Cinebench R20 单执行绪同样是没有差异的 489cb,多执行绪则是 DDR4-4000 表现略佳,从 DDR4-2666 的 6863cb 提升约 0.3% 来到 6884cb。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ DDR4-2666 和 DDR4-4000 时脉相差甚远,即便 DDR4-4000 的 Infinity Fabric 运作时脉仅为 1000MHz,记忆体读写频宽和存取延迟仍旧优于 DDR4-2666。(点图放大)

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ PCMark 10 较为有感一些,AMD 平台 DDR4-4000 获得 9007 分,相对 DDR4-2666 的 8835 分提升约 1.9%。(点图放大)

AMD 平台飙上 DDR4-4600!

Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 搭配笔者手上 Core i9-9900K 处理器和 ROG Maximus XI Extreme 主机板,再超频性并不高,只能以 XMP DDR4-4000 18-19-19-39 基础再往上提升等效时脉 100MHz 达 DDR4-4100,电压则维持 1.35V,调整至 1.4V 并未有任何起色。当然,超频成功与否,均以是否能通过 MemTest86 1Pass 为基础。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组搭配 Core i9-9900K 和 ROG Maximus XI Extreme,等效时脉能够以 XMP 设定值为基础再提升 100MHz。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 于 Intel 平台以 DDR4-4100 通过 MemTest 86 1Pass 翻拍画面。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组等效时脉提升之后,AIDA64 记忆体读写频宽能够再度往上提升,存取延迟则是下降 0.5ns。

AMD 第三代 Ryzen 桌上型处理器,记忆体超频调整方向可分为 2 个极端,其一为长久以来的做法,等效时脉越高越好挑战极限;另一方面则是根据此代 Matisse 特性,将记忆体等效时脉固定于 DDR4-3600 或是 DDR4-3733,避免 Infinity Fabric 与记忆体控制器时脉不同步而增加存取延迟,进而追求记忆体时序最佳化。

追求极速度部分,这款 Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组与 Ryzen 9 3900X 和 AORUS X570 Master 搭配时,可达 DDR4-4600 20-21-21-42 1.4V(gear down mode)并完成 MemTest86 1Pass 测试,等效时脉超频幅度达 15%。固定于 DDR4-3733 时,时序能够调整下降至 16-17-17-35 1T,并使用 1.35V 电压设定,AIDA64 测得存取延迟仅有 65.7ns,对比 DDR4-4600 为 73.8ns。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 记忆体模组搭配 Ryzen 9 3900X 和 AORUS X570 Master,DDR4-3733 和 DDR4-4600 的时序分别可达成 16-17-17-35 和 20-21-21-42,运作电压则为 1.35V 和 1.4V。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ Ballistix Elite DDR4-4000 8GB 分别以 DDR4-3733 16-17-17-35 和 DDR4-4600 20-21-21-42 通过 MemTest86 1Pass 翻拍画面。

Micron Edie 再次发威,Ballistix Eli ▲ 记忆体模组等效时脉设定于 DDR4-3733,此时 Infinity Fabric 与记忆体控制器时脉可同步运作,因此记忆体读取频宽与存取延迟较有优势,DDR4-4600 则拥有较高的写入频宽,複製频宽甚至来到 63125MB/s。(点图放大)

E-die 展现时脉实力

自从 Micron DDR4 E 版本记忆体封装颗粒于市面上出现之后,便传出超频性乐胜自家前世代 D 版本与 G 版本,一反 Micron DDR4 记忆体颗粒难以提昇时脉的刻板印象,日常使用 E-die 产品至少都能提升数百 MHz,有幸购买到体质好一些的记忆体模组,等效时脉提升 1GHz 以上并不少见。

Ballistix Elite 推出 DDR4-4000 8GB 单条单 rank 记忆体模组,相当于由自家验证时脉频率相容性,Intel 与 AMD 平台均可直接载入 XMP 设定档直接开机使用。超频测试部分,笔者手上的测试品项搭配 Ryzen 9 3900X 和 AORUS X570 Master 能够调整至 DDR4-4600 20-21-21-42 1.4V,拥有一定的调整幅度。

记忆体模组等效时脉提升过后,对于双方平台处理器效能不见得均有实质帮助,AMD 平台更要考虑 Infinity Fabric 与记忆体控制器时脉挂勾、脱钩的存取延迟影响。截稿时间之前,编辑部尚未收到台湾市场建议售价,且此次也是 Ballistix Elite 少见达 DDR-4000 等级,较难预估这项产品的性价比,喜爱细部调整的玩家不妨等到上市时自行判断。

产品资讯

Micron Ballistix Elite DDR4

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